4TyEajLsqby finance.huanqiu.comarticle清溢光电加码高端半导体掩膜版 三期项目拟投资不超15亿元/e3pmh1hmp/e3pmh1iab<article><section data-type="rtext"><p>【环球网财经综合报道】11月9日晚，清溢光电发布公告称，为抢抓半导体产业国产替代战略机遇，落地公司高端制造、国产替代核心发展战略，补齐高端半导体掩膜版产能缺口，巩固半导体掩膜版国产替代核心竞争力，控股子公司佛山清溢微电子有限公司（下称“佛山清溢微”)拟在现有高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期、二期基础上投资建设“高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期”，第三期项目计划总投资额不超过15亿元。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="清溢光电公告" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/bc868a500939fc952bc11b67a22cebb3u1.png?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>根据公告，2023年8月，清溢光电宣布，拟在佛山市南海区投资35亿元建设佛山生产基地项目，其中“高端半导体掩膜版生产基地建设项目”分三期建设，合计拟投资15亿元，其中一期拟投资6.05亿元，二期拟投资2.95亿元，三期拟投资6亿元。目前“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”已顺利投产，“高端半导体掩膜版生产基地建设项目二期”正稳步推进中。</p> <adv-loader __attr__inner="7004636" __attr__style="width: auto;position: relative;float: left;border: 1px solid #ebebeb; padding: 20px;overflow: hidden;margin: 10px 30px 40px 0;"></adv-loader> <p>清溢光电表示，本项目定位为面向国内先进制程晶圆制造环节的高端半导体掩膜版本土化配套产能，聚焦28nm—14nm节点产品供给，承接国内晶圆厂扩产及制程升级带来的掩膜版增量需求，有助于补齐国内先进制程掩膜版供给短板；依托本土交付、快速技术协同、稳定保供优势，服务国内芯片设计与制造产业链，提升先进节点掩膜版自主供给能力，成为国内先进制程掩膜版国产替代的重要供应商。</p><p>此外，清溢光电提到，公司已实现55nm掩膜版制程节点技术突破，积累了掩膜版核心工艺、材料、检测等技术经验，同时沉淀了较为成熟的研发、工艺及生产人才团队；以现有技术平台为基础向28nm-14nm节点掩膜版迭代，技术路线具备连贯性，人才储备可复用，并通过后续关键工艺攻关、设备配置及客户验证，降低先进制程研发落地风险，为项目实施提供核心能力保障。（南木）</p></section></article>1794302353477环球网版权作品，未经书面授权，严禁转载或镜像，违者将被追究法律责任。责编：冯超男环球网179430235347711[]//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/bc868a500939fc952bc11b67a22cebb3u1.png{"email":"fengchaonan@huanqiu.com","name":"冯超男"}